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MWI 100-12 E8
MKI 100-12 E8
40
400
20
1000
mJ
td(on)
ns
mJ
ns
E on
30
20
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
R G = 12 Ω
T VJ = 125°C
300
200
t
E off
16
12
8
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
R G = 12 Ω
T VJ = 125°C
td(off)
800
600
400
t
10
Eon
tr
100
4
Eoff
tf
200
0
0
0
0
0
50
100
150
A
200
0
50
100
150
A
200
I C
Fig. 7 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
I C
Fig. 8 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
16
mJ
400
ns
16
mJ
td(off)
1000
ns
E on 12
td(on)
300
t
E off 12
750
t
Eoff
I C
8
4
Eon
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
= 100 A
T VJ = 125°C
200
100
8
4
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
I C = 100 A
T VJ = 125°C
500
250
tr
tf
0
0
5
10
15
Ω
0
20
0
0
5
10
15
0
Ω 20
250
R G
Fig. 9 Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
1
R G
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
A
K/W
diode
I CM
200
150
0.1
Z thJC
IGBT
0.01
100
50
0
R G = 12 Ω
T VJ = 125°C
0.001
0.0001
single pulse
MWI100-12E8
0
200
400
600
800 1000 1200 1400 V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
s 10
V CE
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
t
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
20070912a
4-4
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